IPB160N08S4-03

Name: Infineon IPB160N08S4-03
Brand: Infineon
Rating: 4.5 (5 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
4-SMD, No Lead
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
Date Sheet

Lagernummer 151

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Strip
Mfr：SiTime
Состояние продукта：Active
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：80 V
Время типичного задержки включения：18 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：208 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.056438 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：1000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：SP000989092 IPB160N08S403ATMA1
Производитель：Infineon
Бренд：Infineon Technologies
Зарядная характеристика ворот：112 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2.6 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：30 ns
Id - Непрерывный ток разряда：160 A
Максимальный ток утечки (ID)：160 A
Ранг риска：8.64
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Количество элементов：1
Форма упаковки：RECTANGULAR
Артикул Производителя：IPB160N08S4-03
Рохс Код：Yes
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Уровни чувствительности к влажности：1
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Рабочая температура：-20°C ~ 70°C
Серия：SiT1602B
Пакетирование：MouseReel
Размер / Размерность：0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Тип：XO (Standard)
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Напряжение - Питание：2.25V ~ 3.63V
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Частота：3.57 MHz
Частотная стабильность：±20ppm
Выход：HCMOS, LVCMOS
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：R-PSSO-G6
Функция：-
Базовый резонатор：MEMS
Ток - Питание (Макс.)：4.5mA
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Ширина спектра разброса：-
Время подъема：11 ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Код JEDEC-95：TO-263
Сопротивление открытого канала-макс：0.0032 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：640 A
Минимальная напряжённость разрушения：80 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：350 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Абсолютный диапазон подтяжки (АДП)：-
Категория продукта：MOSFET
Высота сидения (макс.)：0.031 (0.80mm)
Ширина：9.25 mm
Высота：4.4 mm
Длина：10 mm
Оценки：-

Со склада 151

Итого $0.00000