Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVMFS5C673NLT1G
Изображение служит лишь для справки
NVMFS5C673NLT1G
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 1 week ago)
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- Материал:Aluminium
- РХОС:Non-Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS:Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:-
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:3.6W (Ta), 46W (Tc)
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:-
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура:175 °C
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Цвет:Black
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:9.2 mOhm @ 25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 35µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:880pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:9.5nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Диаметр провода/кабеля:15.2 mm
- Характеристика ТРП:-
Со склада 0
Итого $0.00000