Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI4410DYPBF
Изображение служит лишь для справки
SI4410DYPBF
- International Rectifier
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов:5
- Поставщик упаковки устройства:8-SO
- Питерные таймеры:No
- РХОС:Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS:Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:10A (Ta)
- Другие Названия:62-0231PBF 62-0231PBF-ND SP001563080
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W (Ta)
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:HEXFET®
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип:Multi-Voltage Supervisor
- Максимальная рабочая температура:125 °C
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Максимальная потеря мощности:571 mW
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Максимальная напряжённость питания:5.5 V
- Минимальная подача напряжения:800 mV
- Текущий рабочего питания:15 µA
- Сброс:Active Low
- Количество мониторируемых напряжений:2
- Тип ТРВ:N-Channel
- Время срабатывания сброса:140 ms
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:13.5 mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1585pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:45nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Пороговое напряжение:4.375 V
- Порог низкого напряжения:2.55 V
- Порог превышения напряжения:2.7 V
- Характеристика ТРП:-
- Без свинца:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000