(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIA813DJ-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIA813DJ-T1-GE3
-
Electro Films
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Сертификация：cULus
- РХОС：Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.5A (Tc)
- Другие Названия：SIA813DJ-T1-GE3TR SIA813DJT1GE3
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V, 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния：1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：LITTLE FOOT®
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Моментальный ток：4 A
- Число проводников：4
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：94 mOhm @ 2.8A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：355pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13nC @ 8V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：±8V
- Диаметр провода/кабеля：100 µm
- Характеристика ТРП：Schottky Diode (Isolated)
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
