(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF1405Z
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Количество контактов：42
- Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
- РХОС：Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Contains lead / RoHS non-compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：75A (Tc)
- Другие Названия：*IRF1405Z
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：230W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：HEXFET®
- Пакетирование：Tube
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Число строк：1
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Длина вывода：21.082 mm
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.9 mOhm @ 75A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4780pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：180nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：55V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
