(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPP60R330P6XKSA1
Изображение служит лишь для справки
IPP60R330P6XKSA1
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO-220-3
- РХОС：Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12A (Tc)
- Другие Названия：SP001017060
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：93W (Tc)
- Пакетирование：Bulk
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：CoolMOS™ P6
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Завершение：Solder
- Пол：Female
- Шаг：6.8 mm
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Ориентация：Right Angle
- Количество контактов：3
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：330 mOhm @ 4.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 370µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1010pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
