(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVMFS6B25NLT1G
Изображение служит лишь для справки
NVMFS6B25NLT1G
-
AMI Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN, 5 Leads
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Cable
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN, 5 Leads
- Поставщик упаковки устройства：5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- РХОС：Non-Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A (Ta), 33A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：3.6W (Ta), 62W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Цвет：Black
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：24 mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：905pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13.5nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±16V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
