PJP4NA65H_T0_00001

Name: Panjit PJP4NA65H_T0_00001
Brand: Panjit
Rating: 5 (19 reviews)

Panjit
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220AB-3
MOSFET 650V N-Channel MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 5

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-220AB-3
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
РХОС：Non-Compliant
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Время типичного задержки включения：8.6 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：44 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Вес единицы：0.068784 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：50
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Производитель：Panjit
Бренд：Panjit
Зарядная характеристика ворот：16.1 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：3.75 Ohms
Время задержки отключения типичного：42 ns
Id - Непрерывный ток разряда：3 A
Пакет：Tube
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Panjit International Inc.
Максимальная мощность рассеяния：44W (Tc)
Состояние продукта：Not For New Designs
Серия：NFET-650CTMN
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.75Ohm @ 1.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：423 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16.1 nC @ 10 V
Время подъема：29 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 5

Итого $0.00000