PJP4NA50A_T0_00001

Name: Panjit PJP4NA50A_T0_00001
Brand: Panjit
Rating: 4.5 (9 reviews)

Panjit
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220AB-3
MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 42

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-220AB-3
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：500 V
Время типичного задержки включения：12 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：90 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Вес единицы：0.068784 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：50
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Производитель：Panjit
Бренд：Panjit
Зарядная характеристика ворот：9.8 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2.3 Ohms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：31 ns
Id - Непрерывный ток разряда：4 A
Пакет：Tube
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Panjit International Inc.
Максимальная мощность рассеяния：90W (Tc)
Состояние продукта：Not For New Designs
Серия：NFET-500CTMN
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.3Ohm @ 2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：449 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.8 nC @ 10 V
Время подъема：11 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 42

Итого $0.00000