Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJD40N06A-AU_L2_000A1
Изображение служит лишь для справки
PJD40N06A-AU_L2_000A1
- Panjit
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252AA-3
- MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 42
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Wall
- Корпус / Кейс:TO-252AA-3
- Вид крепления:Surface Mount
- Материал корпуса:Aluminium
- Поставщик упаковки устройства:TO-252
- РХОС:Non-Compliant
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:60 V
- Время типичного задержки включения:11 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
- Квалификация:AEC-Q101
- Распад мощности:71 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Вес единицы:0.010476 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Производитель:Panjit
- Бренд:Panjit
- Зарядная характеристика ворот:13.5 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:20 mOhms
- Время задержки отключения типичного:35 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:40 A
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:40A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Mfr:Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния:71W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:MouseReel
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:-
- Завершение:Crimp
- Количество должностей:11
- Пол:Female
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Ориентация:Straight
- Военный стандарт:MIL-DTL-38999
- Количество контактов:11
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Покрытие:Cadmium
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:17mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1574 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:13.5 nC @ 4.5 V
- Время подъема:11 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
- Корпусировка на излучение:No
Со склада 42
Итого $0.00000