(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJP60R540E_T0_00001
Изображение служит лишь для справки
PJP60R540E_T0_00001
-
Panjit
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 42
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
- Вес единицы：0.061458 oz
- Пакетная партия производителя：50
- Производитель：Panjit
- Бренд：Panjit
- РХОС：Details
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.3A (Ta), 9A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：94W (Tc)
- Состояние продукта：Not For New Designs
- Серия：NFET-600CTMN
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：535mOhm @ 2.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：531 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：23.7 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 42
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
