RD3R05BBHTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3R05BBHTL1
Brand: ROHM Semiconductor
Price: 1.36671 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (14 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
NCH 150V 50A, TO-252, POWER MOSF
Date Sheet

Lagernummer 2339

1+： $1.36671
10+： $1.28935
100+： $1.21637
500+： $1.14752
1000+： $1.08256

Zwischensummenbetrag $1.36671

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поставщик упаковки устройства：TO-252
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Основной номер продукта：RD3R05
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：50A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V, 10V
Mfr：Rohm Semiconductor
Максимальная мощность рассеяния：89W (Ta)
Состояние продукта：Active
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：150 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：89 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Зарядная характеристика ворот：37 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：35 mOhms
Id - Непрерывный ток разряда：50 A
Рабочая температура：150°C (TJ)
Серия：-
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：29mOhm @ 25A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2150 pF @ 75 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：37 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：150 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Характеристика ТРП：-

Со склада 2339

1+： $1.36671
10+： $1.28935
100+： $1.21637
500+： $1.14752
1000+： $1.08256

Итого $1.36671