Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPDQ60R017S7AXTMA1
Изображение служит лишь для справки
IPDQ60R017S7AXTMA1
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PG-HDSOP-22
- MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 944
- 1+: $10.43723
- 10+: $9.84644
- 100+: $9.28910
- 500+: $8.76330
- 1000+: $8.26726
Zwischensummenbetrag $10.43723
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:PG-HDSOP-22
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:600 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4.5 V
- Распад мощности:500 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 40 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:196 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:17 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:30 A
- Технология:Si
- Каналов количество:1 Channel
Со склада 944
- 1+: $10.43723
- 10+: $9.84644
- 100+: $9.28910
- 500+: $8.76330
- 1000+: $8.26726
Итого $10.43723