![](https://static.whisyee.com/dimg/ixysintegratedcircuitsdivision-ixdi614ci-5223.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
IXXP12N65B4D1
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-220-3
- IGBT
Date Sheet
Lagernummer 45
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:24 Weeks
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Максимальный коллекторный ток (Ic):38A
- Условия испытания:400V, 12A, 20 Ω, 15V
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:XPT™, GenX4™
- Опубликовано:2017
- Состояние изделия:Active
- Код соответствия REACH:compliant
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:160W
- Время обратной рекомпенсации:43ns
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):650V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:1.95V @ 15V, 12A
- Зарядная мощность:34nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):70A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:13ns/158ns
- Переключаемый энергопотребление:440μJ (on), 220μJ (off)
Со склада 45
Итого $0.00000