(0)
Изображение служит лишь для справки
APT150GN60B2G
-
Microsemi Corporation
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3 Variant
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：24 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3 Variant
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：400V, 150A, 1 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：1999
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
- Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH RELIABILITY
- Максимальная потеря мощности：536W
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：536W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
- Максимальный ток сбора：220A
- Код JEDEC-95：TO-247AD
- Время включения：154 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.85V @ 15V, 150A
- Время выключения (toff)：575 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：970nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：450A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：44ns/430ns
- Переключаемый энергопотребление：8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：30V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6.5V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
