(0)
Изображение служит лишь для справки
IXGH25N120
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Date Sheet
Lagernummer 755
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Количество контактов：3
- Вес：6.500007g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Количество элементов：1
- Условия испытания：960V, 25A, 33 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：1997
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：200W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：35
- Число контактов：3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：200W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2kV
- Максимальный ток сбора：50A
- Код JEDEC-95：TO-247AD
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：350 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3V @ 15V, 25A
- Время выключения (toff)：1920 ns
- Зарядная мощность：130nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：100A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：100ns/650ns
- Переключаемый энергопотребление：11mJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на выходе：3 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 755
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
