Изображение служит лишь для справки
BFP650H6327XTSA1
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Infineon Technologies
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Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- SC-82A, SOT-343
- Trans GP BJT NPN 4V 0.15A 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
Date Sheet
Lagernummer 23511
- 1+： $0.25226
- 10+： $0.23798
- 100+： $0.22451
- 500+： $0.21180
- 1000+： $0.19981
Zwischensummenbetrag $0.25226
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Package / Case：SC-82A, SOT-343
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：4
- Transistor Element Material：SILICON GERMANIUM CARBON
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：4.5V
- Published：2005
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Operating Temperature：150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：LOW NOISE
- Max Power Dissipation：500mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Frequency：41GHz
- Base Part Number：BFP650
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：500mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Halogen Free：Halogen Free
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：4V
- Max Collector Current：150mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：110 @ 80mA 3V
- Gain：10.5dB ~ 21.5dB
- Transition Frequency：42000MHz
- Max Breakdown Voltage：4.5V
- Frequency - Transition：37GHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：13V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：1.2V
- Noise Figure (dB Typ @ f)：0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
- Width：1.25mm
- Length：2mm
- Height：900μm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 23511
- 1+： $0.25226
- 10+： $0.23798
- 100+： $0.22451
- 500+： $0.21180
- 1000+： $0.19981
Итого $0.25226
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услуга покупки
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