(0)
Изображение служит лишь для справки
KST10MTF
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS NPN 25V 350MW SOT23
Date Sheet
Lagernummer 29
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов：3
- Вес：30mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：25V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：60
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2002
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный：25V
- Максимальная потеря мощности：350mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Моментальный ток：4mA
- Частота：650MHz
- Основной номер части：KST10
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：350mW
- Выводная мощность：350mW
- Продуктивность полосы частот：650MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：25V
- Максимальный ток сбора：50mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：60 @ 4mA 10V
- Частота перехода：650MHz
- Максимальное напряжение разрушения：25V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：30V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：3V
- Сопротивление базы-эмиттора макс：0.7pF
- Высота：960μm
- Длина：2.9mm
- Ширина：1.3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 29
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
