TIP31BG

Name: ON Semiconductor TIP31BG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (7 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-220-3
TRANS NPN 80V 3A TO220AB
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Вес：4.535924g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：25
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2001
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
Максимальная потеря мощности：40W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：3A
Частота：3MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：TIP31
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：3MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：10 @ 3A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：300μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.2V @ 375mA, 3A
Частота перехода：3MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：15.748mm
Длина：10.2616mm
Ширина：4.826mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000