FDG6322C

Name: ON Semiconductor FDG6322C
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (11 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Trans Mosfet N/p-ch 25V 0.22A/0.41A 6-PIN SC-70 T/r
Date Sheet

Lagernummer 9000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：10 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Вес：28mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：220mA 410mA
Количество элементов：2
Время отключения：55 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2017
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：4Ohm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Максимальная потеря мощности：300mW
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：220mA
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：300mW
Тип ТРВ：N and P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4 Ω @ 220mA, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9.5pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.4nC @ 4.5V
Время подъема：8ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)：8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：220mA
Пороговое напряжение：850mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Напряжение пробоя стока к истоку：25V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：850 mV
Высота：1mm
Длина：2mm
Ширина：1.25mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 9000

Итого $0.00000