NTJD1155LT1G

Name: ON Semiconductor NTJD1155LT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (7 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Date Sheet

Lagernummer 10400

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
Срок поставки от производителя：15 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：130mOhm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：400mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：630mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：NTJD1155
Число контактов：6
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：400mW
Тип ТРВ：N and P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：175m Ω @ 1.2A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Напряжение стока-исток (Vdss)：8V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：1.3A
Пороговое напряжение：1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：1V
Напряжение пробоя стока к истоку：-8V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Standard
Высота：1mm
Длина：2.2mm
Ширина：1.35mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 10400

Итого $0.00000