SI1922EDH-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI1922EDH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.6 (12 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - MOSFET, NN CH, 20V, 1.3A, SOT363
Date Sheet

Lagernummer 6284

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Вес：7.512624mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：645 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Digi-Reel®
Серия：TrenchFET®
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：1.25W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：SI1922
Число контактов：6
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：740mW
Время задержки включения：22 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：198m Ω @ 1A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2.5nC @ 8V
Время подъема：80ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Время падения (тип)：220 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1.3A
Пороговое напряжение：400mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.1mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 6284

Итого $0.00000