(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDY1002PZ
Изображение служит лишь для справки
FDY1002PZ
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6
Date Sheet
Lagernummer 3000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Количество контактов：6
- Вес：32mg
- Количество элементов：2
- Время отключения：23 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：PowerTrench®
- Опубликовано：2006
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：500mOhm
- Максимальная потеря мощности：446mW
- Форма вывода：FLAT
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：625mW
- Время задержки включения：3.5 ns
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：500m Ω @ 830mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：135pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.1nC @ 4.5V
- Время подъема：2.9ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Время падения (тип)：2.9 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：830mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.83A
- Напряжение пробоя стока к истоку：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Высота：600μm
- Длина：1.7mm
- Ширина：1.2mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 3000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
