IRF7311TRPBF

Name: Infineon Technologies IRF7311TRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.7 (19 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 4000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Время отключения：38 ns
Количество элементов：2
Опубликовано：2004
Серия：HEXFET®
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：29mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
Ток постоянного напряжения - номинальный：20V
Максимальная потеря мощности：2W
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：6.6A
Основной номер части：IRF7311PBF
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Время задержки включения：8.1 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：29m Ω @ 6A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：700mV @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：900pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：27nC @ 4.5V
Время подъема：17ns
Время падения (тип)：31 ns
Непрерывный ток стока (ID)：6.6A
Пороговое напряжение：700mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：100 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Время восстановления：77 ns
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Ширина：3.9878mm
Длина：4.9784mm
Высота：1.4986mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Корпусировка на излучение：No
REACH SVHC：No SVHC
Без свинца：Lead Free

Со склада 4000

Итого $0.00000