NTLUD3A260PZTAG

Name: ON Semiconductor NTLUD3A260PZTAG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (12 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-UFDFN Exposed Pad
IGBT Transistors POWER MOSFET 20V 2A 200 M
Date Sheet

Lagernummer 632

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-UFDFN Exposed Pad
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.3A
Количество элементов：2
Время отключения：149 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2010
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Максимальная потеря мощности：500mW
Число контактов：6
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：800mW
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：17.4 ns
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：200m Ω @ 2A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：300pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4.2nC @ 4.5V
Время подъема：32.3ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Время падения (тип)：74 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1.7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Максимальный сливовой ток (ID)：1.3A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：500μm
Длина：1.6mm
Ширина：1.6mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 632

Итого $0.00000