SI7998DP-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI7998DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.5 (8 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
PowerPAK® SO-8 Dual
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Date Sheet

Lagernummer 373

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8 Dual
Количество контактов：8
Вес：506.605978mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：25A 30A
Количество элементов：2
Время отключения：35 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2014
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：9.3mOhm
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Максимальная потеря мощности：40W
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：8
Код JESD-30：R-XDSO-C6
Каналов количество：2
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：26 ns
Мощность - Макс：22W 40W
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.3m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1100pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：26nC @ 10V
Время подъема：17ns
Время падения (тип)：10 ns
Непрерывный ток стока (ID)：30A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：15A
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：60A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.04mm
Длина：4.9mm
Ширина：5.89mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 373

Итого $0.00000