Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI7938DP-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI7938DP-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- PowerPAK® SO-8 Dual
- MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
- Date Sheet
Lagernummer 19609
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerPAK® SO-8 Dual
- Количество контактов:8
- Вес:506.605978mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Производитель идентификатор упаковки:S17-0173-DUAL
- Количество элементов:2
- Время отключения:33 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchFET®
- Опубликовано:2014
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности:46W
- Форма вывода:C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:SI7938
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-XDSO-C6
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Каналов количество:2
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:3.5W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:11 ns
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5.8m Ω @ 18.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2300pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:65nC @ 10V
- Время подъема:19ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Время падения (тип):15 ns
- Непрерывный ток стока (ID):60A
- Пороговое напряжение:2.5V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Напряжение пробоя стока к истоку:40V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная температура перехода (Тj):150°C
- Характеристика ТРП:Standard
- Номинальное Vgs:2.5 V
- Высота:1.17mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 19609
Итого $0.00000