Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы PMDT290UNE,115
![](https://static.whisyee.com/dimg/nexperiausainc-pesd5v0u5bv115-4922.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
PMDT290UNE,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Date Sheet
Lagernummer 89922
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-563, SOT-666
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Время отключения:86 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности:500mW
- Форма вывода:FLAT
- Число контактов:6
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:390mW
- Время задержки включения:6 ns
- Мощность - Макс:500mW
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:380m Ω @ 500mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:950mV @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:83pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.68nC @ 4.5V
- Время подъема:4ns
- Время падения (тип):31 ns
- Непрерывный ток стока (ID):800mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:20V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.8A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.38Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 89922
Итого $0.00000