DMG1023UV-7

Name: Diodes Incorporated DMG1023UV-7
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.8 (14 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-563, SOT-666
DMG1023UV Series 20 V 0.75 Ohm Dual P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-563
Date Sheet

Lagernummer 755

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
Количество контактов：6
Вес：3.005049mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：28.4 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：750mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
Максимальная потеря мощности：530mW
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Основной номер части：DMG1023UV
Число контактов：6
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：530mW
Время задержки включения：5.1 ns
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：750m Ω @ 430mA, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：59.76pF @ 16V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.62nC @ 4.5V
Время подъема：8.1ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Время падения (тип)：20.7 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1.03A
Пороговое напряжение：-1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：6V
Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：600μm
Длина：1.7mm
Ширина：1.25mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 755

Итого $0.00000