FDG6317NZ

Name: ON Semiconductor FDG6317NZ
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (17 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PowerTrench® MOSFET, Dual 20V N-Channel, 0.7 A, 400 mO
Date Sheet

Lagernummer 717

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：10 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Вес：28mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：7.5 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2017
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：560MOhm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：20V
Максимальная потеря мощности：300mW
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：700mA
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：300mW
Время задержки включения：5.5 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：400m Ω @ 700mA, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：66.5pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.1nC @ 4.5V
Время подъема：7ns
Время падения (тип)：2.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：700mA
Пороговое напряжение：1.2V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.7A
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.1mm
Длина：2mm
Ширина：1.25mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 717

Итого $0.00000