DMG1026UV-7

Name: Diodes Incorporated DMG1026UV-7
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.6 (10 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-563, SOT-666
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K
Date Sheet

Lagernummer 177842

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：26.4 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：580mW
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：DMG1026
Число контактов：6
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：6.5W
Время задержки включения：3.4 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.8 Ω @ 500mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.8V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：32pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.45nC @ 10V
Время подъема：3.4ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Время падения (тип)：16.3 ns
Непрерывный ток стока (ID)：410mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.38A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：600μm
Длина：1.7mm
Ширина：1.25mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 177842

Итого $0.00000