Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NX138BKSX
![](https://static.whisyee.com/dimg/nexperiausainc-pusb2x4yh-6260.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
NX138BKSX
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP
Date Sheet
Lagernummer 16450
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:210mA Ta
- Количество элементов:2
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2016
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Форма вывода:GULL WING
- Число контактов:6
- Нормативная Марка:AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30:R-PDSO-G6
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс:320mW
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3.5 Ω @ 200mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:20pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.7nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.21A
- Минимальная напряжённость разрушения:60V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 16450
Итого $0.00000