Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NVTJD4001NT1G
![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-smf05ct1g-6409.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
NVTJD4001NT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
Date Sheet
Lagernummer 257
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Время отключения:94 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2007
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности:272mW
- Форма вывода:GULL WING
- Число контактов:6
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения:17 ns
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.5 Ω @ 10mA, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:33pF @ 5V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:1.3nC @ 5V
- Время подъема:23ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Время падения (тип):82 ns
- Непрерывный ток стока (ID):250mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.25A
- Сопротивление открытого канала-макс:2.5Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Standard
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):12 pF
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 257
Итого $0.00000