(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMC31D5UDJ-7
Изображение служит лишь для справки
DMC31D5UDJ-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-963
- MOSFET 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF
Date Sheet
Lagernummer 21528
- 1+： $0.40597
- 10+： $0.38299
- 100+： $0.36131
- 500+： $0.34086
- 1000+： $0.32156
Zwischensummenbetrag $0.40597
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-963
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：220mA 200mA
- Время отключения：18.8 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Капацитивность：22.2pF
- Максимальная потеря мощности：350mW
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Каналов количество：2
- Время задержки включения：3.5 ns
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 100mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：22.6pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.38nC @ 4.5V
- Время подъема：5.2ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Время падения (тип)：8.7 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：200mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 21528
- 1+： $0.40597
- 10+： $0.38299
- 100+： $0.36131
- 500+： $0.34086
- 1000+： $0.32156
Итого $0.40597
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
