(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMN1029UFDB-7
Изображение служит лишь для справки
DMN1029UFDB-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Date Sheet
Lagernummer 401
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：15 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2015
- Код JESD-609：e4
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Максимальная потеря мощности：1.4W
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：S-PDSO-N6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Мощность - Макс：1.4W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：29m Ω @ 5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：914pF @ 6V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：19.6nC @ 8V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：12V
- Непрерывный ток стока (ID)：5.6A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.029Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：12V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 401
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
