Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDG6320C
![](https://static.whisyee.com/dimg/analogdevicesinc-hmc311sc70e-7173.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
FDG6320C
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-70 T/R
Date Sheet
Lagernummer 352
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Количество контактов:6
- Вес:28mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:220mA 140mA
- Количество элементов:2
- Время отключения:9 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2017
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Завершение:SMD/SMT
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:4Ohm
- Дополнительная Характеристика:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Максимальная потеря мощности:300mW
- Форма вывода:GULL WING
- Моментальный ток:220mA
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:300mW
- Время задержки включения:5 ns
- Тип ТРВ:N and P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:4 Ω @ 220mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:9.5pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.4nC @ 4.5V
- Время подъема:8ns
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Время падения (тип):8 ns
- Непрерывный ток стока (ID):220mA
- Пороговое напряжение:850mV
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8V
- Напряжение пробоя стока к истоку:25V
- Двухпитание напряжения:25V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная температура перехода (Тj):150°C
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Высота:1.1mm
- Длина:2mm
- Ширина:1.25mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 352
Итого $0.00000