(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы UM6J1NTN
Изображение служит лишь для справки
UM6J1NTN
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
Date Sheet
Lagernummer 2468
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：30 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2011
- Код JESD-609：e2
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN COPPER
- Максимальная потеря мощности：150mW
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Основной номер части：*J1
- Число контактов：6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения：8 ns
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.4 Ω @ 200mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：30pF @ 10V
- Время подъема：5ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Время падения (тип)：40 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：200mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.2A
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 2468
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
