(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы PMDPB30XN,115
Изображение служит лишь для справки
PMDPB30XN,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UDFN Exposed Pad
- PMDPB30XN Series 20 V 40 mOhm 490 mW Dual N-Channel TrenchMOS FET - DFN-2020-6
Date Sheet
Lagernummer 3055
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：6-HUSON-EP (2x2)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A
- Время отключения：4 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2012
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Максимальная потеря мощности：490mW
- Каналов количество：2
- Конфигурация элемента：Dual
- Время задержки включения：40 ns
- Мощность - Макс：490mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：40mOhm @ 3A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：900mV @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：660pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：21.7nC @ 4.5V
- Время подъема：15ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Время падения (тип)：16 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：4A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：650mV
- Входной ёмкости：660pF
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Сопротивление стока к истоку：32mOhm
- Rds на макс.：40 mΩ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 3055
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
