DMN3135LVT-7

Name: Diodes Incorporated DMN3135LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 5 (6 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Date Sheet

Lagernummer 33686

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：1
Время отключения：13.1 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：840mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：6
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Каналов количество：2
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения：2.6 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：60m Ω @ 3.1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：305pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4.1nC @ 4.5V
Время подъема：4.6ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Время падения (тип)：2.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：3.3A
Сопротивление открытого канала-макс：0.047Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 33686

Итого $0.00000