(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM6N815R,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6N815R,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-SMD, Flat Leads
- MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Date Sheet
Lagernummer 198
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-SMD, Flat Leads
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2A Ta
- Рабочая температура：150°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSVIII-H
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：1.8W Ta
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：103m Ω @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：290pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.1nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 4V Drive
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 198
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
