Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMC1229UFDB-7
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-ap9050fdb7-4807.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMC1229UFDB-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
Date Sheet
Lagernummer 591
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:15 Weeks
- Покрытие контактов:Gold
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-UDFN Exposed Pad
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:5.6A 3.8A
- Количество элементов:2
- Время отключения:27.8 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано:2013
- Код JESD-609:e4
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Максимальная потеря мощности:1.4W
- Положение терминала:DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Каналов количество:2
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:5.7 ns
- Тип ТРВ:N and P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:29m Ω @ 5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:914pF @ 6V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:19.6nC @ 8V
- Время подъема:11.5ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):12V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Время падения (тип):26.4 ns
- Непрерывный ток стока (ID):3.8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Высота:555μm
- Длина:2.08mm
- Ширина:2.075mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 591
Итого $0.00000