Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SQJB40EP-T1_GE3
![](https://static.whisyee.com/dimg/vishaysiliconix-sqj912bept1ge3-7478.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
SQJB40EP-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- PowerPAK® SO-8 Dual
- MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Date Sheet
Lagernummer 49102
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerPAK® SO-8 Dual
- Поставщик упаковки устройства:PowerPAK® SO-8 Dual
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:30A Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:34W
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:8mOhm @ 8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1900pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:35nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 49102
Итого $0.00000