(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы ZXMC3A16DN8TA
Изображение служит лишь для справки
ZXMC3A16DN8TA
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 807
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：17 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Вес：73.992255mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.9A 4.1A
- Количество элементов：2
- Время отключения：21.6 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：48mOhm
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD
- Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
- Максимальная потеря мощности：2.1W
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：6.4A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Число контактов：8
- Каналов количество：2
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：2.1W
- Время задержки включения：3 ns
- Мощность - Макс：1.25W
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：35m Ω @ 9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA (Min)
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：796pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17.5nC @ 10V
- Время подъема：6.4ns
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Время падения (тип)：9.4 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：6.4A
- Пороговое напряжение：1V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：4.9A
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Высота：1.5mm
- Длина：5mm
- Ширина：4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 807
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
