STS8DN3LLH5

Name: STMicroelectronics STS8DN3LLH5
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.5 (10 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Dual Channel 30 V 10 A 19 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Date Sheet

Lagernummer 14008

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：21.1 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：STripFET™ V
Код JESD-609：e4
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：19MOhm
Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Максимальная потеря мощности：2.7W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STS8DN
Число контактов：8
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.7W
Время задержки включения：4 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：19m Ω @ 5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：724pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.4nC @ 4.5V
Время подъема：4.2ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Время падения (тип)：3.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：10A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：22V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：40A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 14008

Итого $0.00000