Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI4204DY-T1-GE3
![](https://static.whisyee.com/dimg/siliconlabs-si4834a20gu-3790.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
SI4204DY-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Trans Mosfet N-ch 20V 15.5A 8-PIN SOIC N T/r
Date Sheet
Lagernummer 21537
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов:8
- Вес:506.605978mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Время отключения:26 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchFET®
- Опубликовано:2013
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная потеря мощности:3.25W
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Основной номер части:SI4204
- Число контактов:8
- Каналов количество:2
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:2W
- Время задержки включения:18 ns
- Мощность - Макс:3.25W
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:4.6m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2110pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:45nC @ 10V
- Время подъема:24ns
- Время падения (тип):13 ns
- Непрерывный ток стока (ID):19.8A
- Пороговое напряжение:1V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0046Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Standard
- REACH SVHC:Unknown
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 21537
Итого $0.00000