Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMG1012UW-7
Изображение служит лишь для справки
DMG1012UW-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-70, SOT-323
- N-Channel 20 V 1 A 0.45 O Surface Mount Enhancement Mode Power MosFet - SOT-323
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：14 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SC-70, SOT-323
- Number of Pins：3
- Weight：6.010099mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：290mW Ta
- Turn Off Delay Time：26.7 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2011
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Pin Count：3
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：290mW
- Turn On Delay Time：5.1 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：450m Ω @ 600mA, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：60.67pF @ 16V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：0.74nC @ 4.5V
- Rise Time：7.4ns
- Vgs (Max)：±6V
- Fall Time (Typ)：12.3 ns
- Continuous Drain Current (ID)：1A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：6V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：1A
- Drain-source On Resistance-Max：0.45Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- Height：1mm
- Length：2.2mm
- Width：1.35mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты