Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTA4153NT1G
Изображение служит лишь для справки
NTA4153NT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-75, SOT-416
- MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
Date Sheet
Lagernummer 686
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SC-75, SOT-416
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：915mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300mW Tj
- Turn Off Delay Time：25 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：127mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：20V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：915mA
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：300mW
- Turn On Delay Time：3.7 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：230m Ω @ 600mA, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1.1V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：110pF @ 16V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：1.82nC @ 4.5V
- Rise Time：4.4ns
- Vgs (Max)：±6V
- Fall Time (Typ)：4.4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：915mA
- Threshold Voltage：760mV
- Gate to Source Voltage (Vgs)：6V
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- Nominal Vgs：760 mV
- Height：800μm
- Length：800μm
- Width：1.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 686
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты