Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSZ160N10NS3GATMA1
Изображение служит лишь для справки
BSZ160N10NS3GATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：18 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerTDFN
- Surface Mount：YES
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.1W Ta 63W Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A Ta 40A Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：OptiMOS™
- Published：2011
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：no
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：5
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：NO LEAD
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Pin Count：8
- JESD-30 Code：S-PDSO-N5
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：16m Ω @ 20A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.5V @ 12μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1700pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：25nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100V
- Vgs (Max)：±20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：40A
- Drain-source On Resistance-Max：0.016Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：160A
- DS Breakdown Voltage-Min：100V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：80 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты