Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF7470TRPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF7470TRPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Surface Mount：YES
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.8V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：HEXFET®
- Published：2003
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- JESD-30 Code：R-PDSO-G8
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：13m Ω @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3430pF @ 20V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：44nC @ 4.5V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：40V
- Vgs (Max)：±12V
- JEDEC-95 Code：MS-012AA
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：10A
- Drain-source On Resistance-Max：0.013Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：85A
- DS Breakdown Voltage-Min：40V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：300 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты