Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STD2N95K5
Изображение служит лишь для справки
STD2N95K5
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：3.949996g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：45W Tc
- Turn Off Delay Time：20.5 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：SuperMESH5™
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STD2N95
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：8.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：5 Ω @ 1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 100μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：105pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：10nC @ 10V
- Rise Time：13.5ns
- Fall Time (Typ)：32.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：2A
- Drain-source On Resistance-Max：5Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：950V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：8A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：50 mJ
- Height：2.4mm
- Length：6.6mm
- Width：6.2mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты